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PA-300

PA-300

2D Birefringence Measurement System

차세대 파워 반도체 검사 툴 SiC · GaN Wafer의 전체 면 평가에 최적화되어 고속으로 응력 측정의 정량 평가를 실현합니다.
복굴절/위상차 분포를 고속으로 500만 화소의 고해상도로 측정하는 측정범위 0~130nm의 저위상차용 장치입니다. 유리 제품, 렌즈 등 작은 위상차 측정 대상에 적합합니다. 현미경 사이즈부터 큰 사이즈(약 50cm)까지, 측정물에 따른 라인업을 갖추고 있습니다.

제품이미지
Characteristics

Sic Wafer 평가 사례 / 10초 만에 전체 면 측정 가능

Wafer의 전체 면을 측정할 때 기존의 방법으로는 긴 시간이 걸렸습니다.
하지만 PA-300의 측정방법은 특수한 편광 카메라를 사용하여 고속으로 거시적인 정량화를 실현하고 있습니다.
정량 평가가 가능하기 때문에 수치 대비가 가능하여 R&D 적용 뿐만 아니라 수율 개선도 가능합니다.
Characteristics

GaN Wafer 평가 사례 / 결정 축 방위 표시

- SiC 같은 모양의 GaN이라도 측정이 가능합니다. 위상차 표시 외에 결정 축방위도 함께 취득이 가능합니다.
- 복굴절 측정 데이터는 고밀도의 전위를 포함한 결정에 있어서 간편하게 광학적인 방법으로 소경각립계* 를 보는 것이 가능합니다.
- 현미경 타입의 [PA-micro]를 사용하여 보다 미세한 영역의 결정결함분포 측정이 가능합니다.

* 소경각립계: 일반적으로 양측의 결정방위의 차가 적은 입계를 말합니다.
차세대 파워 반도체 검사 장비

고속 광학 계측기가 제공하는 부가가치

01
ICON
최대 8인치 Wafer의 전체 면분포 측정-

기존의 점 측정이 아닌 면으로 스캔하여 측정.

02
ICON
내부 응력, 가공 응력의 정량화-

Wafer 내부의 응력, 가공 응력을 픽셀별 데이터로 추출하여 정량화 가능.

03
ICON
압도적인 측정 스피드-

10초 정도로 면 전체 즉정 가능

2D Birefringence Measurement System

PA-300

SiC · GaN Wafer의 전체 면 평가에 최적화되어 고속으로 응력 측정의 정량 평가를 실현합니다.  

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